18501309179
產(chǎn)品分類
相關(guān)文章
產(chǎn)品型號
BX-Y1247A廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1444產(chǎn)品描述
400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
產(chǎn)品型號
BX-Y1247B廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1430產(chǎn)品描述
600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
產(chǎn)品型號
BX-Y1247C廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1559產(chǎn)品描述
800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
產(chǎn)品型號
BX-Y1247D廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1518產(chǎn)品描述
1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
產(chǎn)品型號
BX-Y1247E廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1639產(chǎn)品描述
1200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
當(dāng)前位置：
